品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH100P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UFY4Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1896,"14+":22250,"18+":71990}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4930NTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA2002NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:123mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3200U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: