采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
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功率：35W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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功率：35W
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输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
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功率：35W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
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功率：35W
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
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功率：35W
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类型：N沟道
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功率：35W
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输入电容：7900pF@15V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
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功率：35W
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连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
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功率：35W
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输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：650}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0621DPP-E0#T2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1.55nF@10V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：56mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
功率：35W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
功率：35W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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