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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP613PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@25V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V€1580pF@40V
连续漏极电流：3.9A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP295H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：368pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP295H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：368pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP295H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@400µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：368pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V€1580pF@40V
连续漏极电流：3.9A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
