品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:165mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":55,"06+":1394,"07+":5579,"08+":632817,"11+":2190,"14+":5000,"16+":4400,"17+":900,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:1440pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8K24TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V€2410pF@15V
连续漏极电流:15A€27A€26A€80A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:0609
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17302Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:16A€87A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@14A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17302Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.7V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:16A€87A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@14A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17510Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:20A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL9P3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2615pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:15+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7080pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: