品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2405TRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.43nF@25V
连续漏极电流:56A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,34A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2213
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2905ZTRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10V,36A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2213
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2905ZTRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10V,36A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.3nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
反向传输电容:72pF@20V
导通电阻:1.2mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR430ATRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2213
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2905ZTRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10V,36A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2213
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR2905ZTRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10V,36A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
功率:110W
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:2.2nF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
输入电容:4.3nF@20V
栅极电荷:32nC@4.5V
反向传输电容:72pF@20V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2V@250μA
导通电阻:1.2mΩ@10V,50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2213
规格型号(MPN):IRLR2905ZTRPBF
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
漏源电压:55V
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:1.57nF@25V
栅极电荷:35nC@5V
ECCN:EAR99
导通电阻:13.5mΩ@10V,36A
包装清单:商品主体 * 1
库存: