包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N105K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:210pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1050V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:[]
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI6N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:255pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":1900,"MI+":980}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP90N02
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2120pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@90A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2450KEGC11
工作温度:175℃
功率:85W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:27nC@18V
包装方式:管件
输入电容:463pF@800V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2450KEGC11
工作温度:175℃
功率:85W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:27nC@18V
包装方式:管件
输入电容:463pF@800V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2450KEGC11
工作温度:175℃
功率:85W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:27nC@18V
包装方式:管件
输入电容:463pF@800V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:538pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2450KEGC11
工作温度:175℃
功率:85W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:27nC@18V
包装方式:管件
输入电容:463pF@800V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2450KEGC11
工作温度:175℃
功率:85W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:27nC@18V
包装方式:管件
输入电容:463pF@800V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:560pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:560pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP6N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:255pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2450KEGC11
工作温度:175℃
功率:85W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:27nC@18V
包装方式:管件
输入电容:463pF@800V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2450KEGC11
工作温度:175℃
功率:85W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:27nC@18V
包装方式:管件
输入电容:463pF@800V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STU11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: