采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R040CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：766}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R050CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2120pF@800V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R045C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R040C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.24mA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R040M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.2V@10mA
栅极电荷：39nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1620nF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：54.4mΩ@19.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPWS65R050CFD7AXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.24mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4975pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@24.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2120pF@800V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB23N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2418pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2120pF@800V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
