采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2220pF@25V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC40GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16A60W，S4VX(M
工作温度：+150℃
功率：40W
阈值电压：3.7V
栅极电荷：38nC@10V
连续漏极电流：15.8A
类型：N
导通电阻：190mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF34NM60ND
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：80.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2785pF@50V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC40GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
