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    行业应用: 汽车
    功率: 960W
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    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@8mA

    栅极电荷:264nC@10V

    输入电容:13600pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@22A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@8mA

    栅极电荷:264nC@10V

    输入电容:13600pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@22A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT41F100J 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT41F100J 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT41F100J

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:570nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:18500pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@33A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N100Q3

    功率:960W

    栅极电荷:264nC@10V

    输入电容:13600pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:6.5V@8mA

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    漏源电压:1000V

    导通电阻:220mΩ@22A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N100Q3

    功率:960W

    栅极电荷:264nC@10V

    输入电容:13600pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:6.5V@8mA

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    漏源电压:1000V

    导通电阻:220mΩ@22A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT41F100J 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT41F100J 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT41F100J

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:570nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:18500pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@33A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@8mA

    栅极电荷:264nC@10V

    输入电容:13600pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@22A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订300个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N100Q3 起订300个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@8mA

    栅极电荷:264nC@10V

    输入电容:13600pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@22A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK32N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960W

    阈值电压:6.5V@1mA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK32N100P 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):IXFK32N100P

    连续漏极电流:32A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:1000V

    阈值电压:6.5V@1mA

    功率:960W

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    包装方式:管件

    输入电容:14200pF@25V

    栅极电荷:225nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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