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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
