采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1P12BBDTLL
功率：178W
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：4.17nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BLE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4682pF@15V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1P12BBDTLL
功率：178W
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：4.17nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP8N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.194nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BLE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4682pF@15V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT1D3N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19600pF@40V
连续漏极电流：164A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
