包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R160P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：44nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：144mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA50R140CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：64nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R160P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：44nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：144mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R160P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：44nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：144mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R160P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：44nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：144mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPA15N60C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.9V

栅极电荷：63nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：280mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R199CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：199mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

包装方式：Reel

漏源电压：40V

功率：34W

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：21nC

连续漏极电流：30A

ECCN：EAR99

阈值电压：3.3V

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：500psc

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

功率：34W

导通电阻：190Ω

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：600V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA17N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：34W

阈值电压：4V

栅极电荷：41nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA17N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：34W

阈值电压：4V

栅极电荷：41nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA20N50E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：184mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFP38N30X3M

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：38A

类型：MOSFET

导通电阻：50mΩ

漏源电压：300V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA17N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：34W

阈值电压：4V

栅极电荷：41nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R160P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：44nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：144mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R125C6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1