采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP18N20
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
功率：130W
阈值电压：5V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
包装方式：管件
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
类型：1个N沟道
功率：130W
漏源电压：1.2kV
连续漏极电流：6A
阈值电压：5V@100μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N120K5
包装方式：管件
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
类型：1个N沟道
功率：130W
漏源电压：1.2kV
连续漏极电流：6A
阈值电压：5V@100μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Ruichips
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU6888R
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：88A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，35A
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Ruichips
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU6888R
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：88A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，35A
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G120N04A
功率：130W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK190E65Z，S1X
功率：130W
阈值电压：4V@610μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@300V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
