采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R110CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：260，"18+"：11516，"23+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPSA70R750P7SAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@400V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA96DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R150CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：22.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：44800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：34.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：44800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：34.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R150CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：22.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：44800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：34.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：44800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：34.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA96DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA96DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：44800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：34.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN012-60QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：957pF@30V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA84DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1535pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
