品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
输入电容:8290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:294W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.6V@1mA
连续漏极电流:120A
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
输入电容:8290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:294W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.6V@1mA
连续漏极电流:120A
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R8-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8290pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: