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    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:3.7V@3.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@300V

    连续漏极电流:61.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@30.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW77N65M5 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STW77N65M5 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1125

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW77N65M5

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9800pF@100V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT75N10L2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT75N10L2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT75N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:215nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8100pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订60个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订60个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N60X 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N60X 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH24N60X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:4.5V@2.5mA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1910pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ22N60P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ22N60P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ22N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT14N80P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT14N80P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFT14N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@4mA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订15个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订15个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P 起订120个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P 起订120个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订50个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订50个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订5个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订5个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订250个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订250个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA24N60X 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA24N60X 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA24N60X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:4.5V@2.5mA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1910pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW77N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW77N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW77N65M5

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9800pF@100V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ22N60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ22N60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ22N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC015SMA070B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC015SMA070B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC015SMA070B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:215nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4500pF@700V

    连续漏极电流:131A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@40A,20V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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