采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：8671，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：8671，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT055HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：185W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：29nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：721pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@15A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT055HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：185W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：29nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：721pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@15A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：8671，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：8671，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：835}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：835}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：8671，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：723，"16+"：18000，"17+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：229psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：723，"16+"：18000，"17+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：229psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：835}
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：185W
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
漏源电压：600V
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：750mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT055HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：185W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：29nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：721pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@15A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：229psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP10N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：185W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT055HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：185W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：29nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：721pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@15A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT055HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：185W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：29nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：721pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@15A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT055HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：185W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：29nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：721pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@15A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT055HU65G3AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：185W
阈值电压：4.2V@1mA
栅极电荷：29nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：721pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@15A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
