采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：6.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.83mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA18BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：6.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.83mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
