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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：15.4A€55.9A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
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功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：15.4A€55.9A
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导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
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导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
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功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
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