采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8876
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：70W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），73A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120400K3S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：100W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：27 nC @ 15 V
包装方式：管件
输入电容：740 pF @ 100 V
连续漏极电流：7.6A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：515毫欧 @ 5A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120080K3S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：254.2W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：管件
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：33A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH055N15A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：92 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：9445 pF @ 75 V
连续漏极电流：158A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：5.9 毫欧 @ 120A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB082N15A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：294W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：84 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6040 pF @ 25 V
连续漏极电流：117A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.2 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120080B7S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：190W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：23 nC @ 12 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754 pF @ 100 V
连续漏极电流：28.8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：105 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4SC075006K4S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：714W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：164 nC @ 15 V
包装方式：管件
输入电容：8374 pF @ 400 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 80A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3SC120016K4S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：517W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：218 nC @ 15 V
包装方式：管件
输入电容：7824 pF @ 800 V
连续漏极电流：107A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：21毫欧 @ 50A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH055N15A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：92 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：9445 pF @ 75 V
连续漏极电流：158A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：5.9 毫欧 @ 120A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN230N20T
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1090W（Tc）
阈值电压：5V @ 8mA
栅极电荷：378 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：28000 pF @ 25 V
连续漏极电流：220A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 60A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4SC075006K4S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：714W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164 nC @ 15 V
包装方式：管件
输入电容：8374 pF @ 400 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 80A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065040K3S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：326W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：管件
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：54A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：52 毫欧 @ 40A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N05SM9A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：72W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：47 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065030K4S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：441W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43 nC @ 12 V
包装方式：管件
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：85A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：35 毫欧 @ 50A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3SC065040B7S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：195W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：43 nC @ 12 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：43A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：52 毫欧 @ 30A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065030B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：242W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：65A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：35 毫欧 @ 50A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065030B3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：242W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
栅极电荷：51 nC @ 15 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500 pF @ 100 V
连续漏极电流：65A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：35 毫欧 @ 40A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH320N10T2
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1000W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：430 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：26000 pF @ 25 V
连续漏极电流：320A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.5 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6944，"16+"：30000，"17+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4806NT4G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1.4W（Ta），68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142 pF @ 12 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），79A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：16300，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2572
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：135W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770 pF @ 25 V
连续漏极电流：4A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：54 毫欧 @ 9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
