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    行业应用: 汽车
    工作温度: 175℃
    阈值电压: 2.5V@250µA
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:90+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

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    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    栅极电荷:24nC@4.5V

    功率:7W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2200pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:175℃

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

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    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    栅极电荷:24nC@4.5V

    功率:7W

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    漏源电压:30V

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    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:175℃

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    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD85N3LH5
    ST Mosfet场效应管 STD85N3LH5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD85N3LH5

    工作温度:175℃

    功率:70W

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    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@40A,10V

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    库存:

    - +
    起购:27
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD96N3LLH6

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    功率:70W

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    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

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    库存:

    - +
    起购:2
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€75W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@38A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@38A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP45N06VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP45N06VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@23A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€77W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€147W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STD150N3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STD150N3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD150N3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDK-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDK-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€147W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€147W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€147W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N04VLK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N04VLK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP60N04VLK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3680pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD96N3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD85N3LH5
    ST Mosfet场效应管 STD85N3LH5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD85N3LH5

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€147W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N06VLK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N06VLK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP60N06VLK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N04VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N04VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€147W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@45A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD96N3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD85N3LH5
    ST Mosfet场效应管 STD85N3LH5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD85N3LH5

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD96N3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N04VDK-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N04VDK-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP60N04VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3680pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.85mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N06VLK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N06VLK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP60N06VLK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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