采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3148}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
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功率：55W
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
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功率：55W
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"05+"：3148}
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：24A
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：1200pF@25V
ECCN：EAR99
功率：1.36W€62.5W
导通电阻：42mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
功率：230W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：64A
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
类型：N沟道
输入电容：1950pF@100V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3148}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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