采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS004N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：358，"22+"：12876，"23+"：6227，"24+"：14425}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC80N04S6L032ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.29mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD15N15-95-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H836NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€89W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@40V
连续漏极电流：15A€74A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD15N15-95-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD15N15-95-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD15N15-95-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ024N04LS6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€75W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：24A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD15N15-95-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：358，"22+"：12876，"23+"：6227，"24+"：14425}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H836NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€89W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@40V
连续漏极电流：15A€74A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4431EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1265pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
