采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
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功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
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功率：306W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
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输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
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导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
连续漏极电流：20A€140A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40PS，127
栅极电荷：136nC@10V
漏源电压：40V
功率：338W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R1-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：338W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9710pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
