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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4620TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4620TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4620TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@50V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:77.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT111N20NFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT111N20NFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT111N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@267µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@100V

    连续漏极电流:96A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@96A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC350N20NSFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC350N20NSFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC350N20NSFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@35A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD450 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD450 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD450

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:6V@250µA

    栅极电荷:3.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@3.8A,15V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4620TRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4620TRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4620TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@50V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:77.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF200S234

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6484pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.9mΩ@51A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90330E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90330E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90330E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG111N20NM3FDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG111N20NM3FDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTG111N20NM3FDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:4V@267µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@100V

    连续漏极电流:10.8A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@96A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:305mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA20EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA20EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@100V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@84A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM65N20-30-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM65N20-30-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD450 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD450 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD450

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€25W

    阈值电压:6V@250µA

    栅极电荷:3.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@3.8A,15V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90140E-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90140E-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90140E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4132pF@100V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@100V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@84A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4620TRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4620TRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4620TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@50V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:77.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR220NTRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR220NTRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4127TRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4127TRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4127TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@50V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@44A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20NAATMA1 起订69个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20NAATMA1 起订69个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":14000,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.7mΩ@88A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@100V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@84A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:305mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20NAATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20NAATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.7mΩ@88A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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