采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC350N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR540ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6023SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：93000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M11-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K12-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC350N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1654，"19+"：8700，"20+"：7931，"MI+"：945}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7635-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K12-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD380P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
