品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:11.3A€49A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P04P4L04ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.3mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD90P04-9M4L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6675pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120P04P404ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14790pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3419EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L06ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.2V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ141EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:731nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62190pF@25V
连续漏极电流:390A
类型:P沟道
导通电阻:2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:7.4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40151EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@20V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@17.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180P04P4L02ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.2V@410µA
栅极电荷:286nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18700pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:P沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: