采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€39.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5844-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1759pF@25V
连续漏极电流：10A€45A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€39.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€39.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€39.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@20V
连续漏极电流：9A€37A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
漏源电压：40V
阈值电压：4V@250µA
类型：2N沟道（双）
功率：2.4W€48W
连续漏极电流：9A€39A
导通电阻：15mΩ@9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1135pF@20V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.4W€48W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：9A€39A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1135pF@20V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.4W€48W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：9A€39A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4848P-AU_R2_000A1
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：9A€37A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€39.6W
导通电阻：15mΩ@8A，10V
输入电容：1040pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC076N04NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€65W
阈值电压：4V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：17.6A€70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL15DN4F5
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC072N04LDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3990pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K8R7-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1439pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W
阈值电压：2.2V@90µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：25A€145A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.65mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4284EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
