采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K12-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2348pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K13-60RAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
