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    行业应用: 汽车
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    类型: N沟道
    栅极电荷: 87nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5000
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    连续漏极电流:21A€121A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:87nC@10V

    阈值电压:3.8V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    输入电容:4917pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    连续漏极电流:21A€121A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:87nC@10V

    阈值电压:3.8V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    输入电容:4917pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT111N20NFDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT111N20NFDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT111N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@267µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@100V

    连续漏极电流:96A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@96A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB031N08N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB031N08N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB031N08N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@108µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6240pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@100V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@84A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@100V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@84A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20NAATMA1 起订69个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20NAATMA1 起订69个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":14000,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.7mΩ@88A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:69
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@100V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@84A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT150N10S5N035ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT150N10S5N035ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:3.8V@110µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20NAATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20NAATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB107N20NAATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.7mΩ@88A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7546TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR7546TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR7546TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:99W

    阈值电压:3.7V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT111N20NFDATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT111N20NFDATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT111N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@267µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@100V

    连续漏极电流:96A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@96A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA180N08S5N026AUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUA180N08S5N026AUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":12350,"22+":865,"23+":9200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:3.8V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5980pF@40V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:261
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT150N10S5N035ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT150N10S5N035ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:166W

    阈值电压:3.8V@110µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YLE,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-30YLE,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-30YLE,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:272W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5217pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB107N20N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB107N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.7mΩ@88A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB117N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@100V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@84A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
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