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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA057N08N3GXKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA057N08N3GXKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA057N08N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA075N15N3GXKSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA075N15N3GXKSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA075N15N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7280pF@75V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@43A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA075N15N3GXKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA075N15N3GXKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA075N15N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7280pF@75V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@43A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8778 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8778 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8778

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@13V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@35A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8778 起订1032个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8778 起订1032个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6500,"MI+":9210}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8778

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@13V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@35A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA057N08N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA057N08N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA057N08N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA045N10N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA045N10N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA045N10N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@150µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8410pF@50V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@64A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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