品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@30V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@30V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:16.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@30V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@30V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@30V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2744pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:16.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: