采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM300C12P3E201
工作温度：-40℃~150℃
功率：1360W
阈值电压：5.6V@80mA
包装方式：散装
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM50AM24SG
工作温度：-40℃~150℃
功率：1250W
阈值电压：5V@6mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：19600pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：28mΩ@75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM600D12P3G001
工作温度：-40℃~150℃
功率：2450W
阈值电压：5.6V@182mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：31000pF@10V
连续漏极电流：600A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM180D12P2C101
工作温度：-40℃~150℃
功率：1130W
阈值电压：4V@35.2mA
包装方式：散装
输入电容：23000pF@10V
连续漏极电流：204A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM120D12P2C005
工作温度：-40℃~150℃
功率：780W
阈值电压：2.7V@22mA
包装方式：散装
输入电容：14000pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM100UM45DAG
工作温度：-40℃~150℃
功率：5000W
阈值电压：5V@30mA
栅极电荷：1602nC@10V
包装方式：散装
输入电容：42700pF@25V
连续漏极电流：215A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@107.5A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM50H14FT3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：3259pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：168mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM180D12P2C101
工作温度：-40℃~150℃
功率：1130W
阈值电压：4V@35.2mA
包装方式：散装
输入电容：23000pF@10V
连续漏极电流：204A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM300C12P3E201
工作温度：-40℃~150℃
功率：1360W
阈值电压：5.6V@80mA
包装方式：散装
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM100A13SCG
工作温度：-40℃~150℃
功率：1250W
阈值电压：5V@6mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：15200pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：156mΩ@32.5A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM300D12P3E005
工作温度：-40℃~150℃
功率：1260W
阈值电压：5.6V@91mA
包装方式：散装
输入电容：14000pF@10V
连续漏极电流：300A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VMO650-01F
工作温度：-40℃~150℃
功率：2500W
阈值电压：6V@130mA
栅极电荷：2300nC@10V
包装方式：散装
输入电容：59000pF@25V
连续漏极电流：690A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM50AM38STG
工作温度：-40℃~150℃
功率：694W
阈值电压：5V@5mA
包装方式：散装
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：45mΩ@45A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM300D12P3E005
工作温度：-40℃~150℃
功率：1260W
阈值电压：5.6V@91mA
包装方式：散装
输入电容：14000pF@10V
连续漏极电流：300A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM120D12P2C005
工作温度：-40℃~150℃
功率：780W
阈值电压：2.7V@22mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：14000pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM600D12P3G001
工作温度：-40℃~150℃
功率：2450W
阈值电压：5.6V@182mA
包装方式：散装
输入电容：31000pF@10V
连续漏极电流：600A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1psc
规格型号(MPN)：APTM50H14FT3G
漏源电压：500V
输入电容：3259pF@25V
类型：4N沟道（全桥）
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
工作温度：-40℃~150℃
包装方式：散装
导通电阻：168mΩ@13A，10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：12psc
规格型号(MPN)：BSM180D12P2C101
输入电容：23000pF@10V
连续漏极电流：204A
功率：1130W
工作温度：-40℃~150℃
类型：2个N通道（半桥）
阈值电压：4V@35.2mA
包装方式：散装
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTML100U60R020T1AG
工作温度：-40℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@2.5mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@10A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTMC120AM25CT3AG
工作温度：-40℃~150℃
功率：500W
阈值电压：2.2V@4mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：3800pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：25mΩ@80A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM100H45SCTG
工作温度：-40℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@2.5mA
包装方式：散装
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：540mΩ@9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM50HM65FT3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：390W
阈值电压：5V@2.5mA
包装方式：散装
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：78mΩ@25.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM50H14FT3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：3259pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：168mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：12psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM180D12P2C101
工作温度：-40℃~150℃
功率：1130W
阈值电压：4V@35.2mA
包装方式：散装
输入电容：23000pF@10V
连续漏极电流：204A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM50AM38STG
工作温度：-40℃~150℃
功率：694W
阈值电压：5V@5mA
包装方式：散装
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：45mΩ@45A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：12psc
规格型号(MPN)：BSM180D12P2C101
输入电容：23000pF@10V
连续漏极电流：204A
功率：1130W
工作温度：-40℃~150℃
类型：2个N通道（半桥）
阈值电压：4V@35.2mA
包装方式：散装
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
