品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB15XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2875pF@6V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB40UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:556pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2450UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.1pF@10V
连续漏极电流:1.03A€700mA
类型:N和P沟道
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7410TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:91nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8676pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@16A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX6008NBKWX
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW€1.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@30V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@300mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCM2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19R0UPEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@10V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@7.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB29XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:43.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2A,1.8V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":81000,"22+":122500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4453
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: