采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2060UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：881pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA907EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2060UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：881pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2060UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：881pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4963BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UFDB-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4963BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA907EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2060UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：881pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
