品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2480pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2480pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1902TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:2.93nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:258pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: