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    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 130nC@10V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:4V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH11P50 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH11P50 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH11P50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2760pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N90P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N90P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH24N90P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660W

    阈值电压:6.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@12A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG30N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG30N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2760pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB17N50LPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB17N50LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2760pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@3.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@3.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS6673BZ 起订374个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS6673BZ 起订374个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@15V

    连续漏极电流:15.2A€28A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@3.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS32304 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS32304 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS32304

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€78W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5970pF@15V

    连续漏极电流:40A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT8P50 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT8P50 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT8P50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:180W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N90P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N90P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH24N90P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660W

    阈值电压:6.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@12A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@3.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4980pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS32304 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS32304 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS32304

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€78W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5970pF@15V

    连续漏极电流:40A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE40PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@3.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG050N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG050N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG050N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3459pF@100V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@23A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4980pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR158DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4980pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS6673BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS6673BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS6673BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@15V

    连续漏极电流:15.2A€28A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@15.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF30N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF30N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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