采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3040pF@50V
连续漏极电流：13.6A€51.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3040pF@50V
连续漏极电流：13.6A€51.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
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栅极电荷：65nC@10V
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连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3040pF@50V
连续漏极电流：13.6A€51.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
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规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
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功率：125W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：17A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
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类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
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输入电容：3040pF@50V
连续漏极电流：13.6A€51.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
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阈值电压：2.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：13.6A€51.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3040pF@50V
连续漏极电流：13.6A€51.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
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规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
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功率：5W€71.4W
阈值电压：2.4V@250µA
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连续漏极电流：13.6A€51.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：5W€71.4W
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导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
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类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3040pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
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功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3040pF@50V
连续漏极电流：13.6A€51.4A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
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功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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