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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
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功率：1.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
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功率：1.6W
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
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功率：3.1W€125W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
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功率：1.6W
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：1.8V@250µA
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：4430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
类型：N沟道
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：2mΩ@25A，10V
栅极电荷：32nC@4.5V
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：4430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
类型：N沟道
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：2mΩ@25A，10V
栅极电荷：32nC@4.5V
连续漏极电流：100A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：14A
栅极电荷：32nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：4430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
类型：N沟道
阈值电压：1.8V@250µA
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栅极电荷：32nC@4.5V
连续漏极电流：100A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：14A
栅极电荷：32nC@4.5V
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功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
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栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4430pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
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栅极电荷：32nC@4.5V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4408DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@21A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
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输入电容：4430pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17576Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：32nC@4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
