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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6508，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：20+
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：20+
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6508，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18504Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1656pF@20V
连续漏极电流：15A€50A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€24W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@20V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
