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    当前匹配商品:90+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHG47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHG47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SiHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N20 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N20 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:19+

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@4mA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@25A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT56M50L 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT56M50L 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT56M50L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8800pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@28A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHW47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订125个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订125个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STY60NK30Z 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STY60NK30Z 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY60NK30Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STY60NK30Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STY60NK30Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY60NK30Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STY60NK30Z 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STY60NK30Z 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY60NK30Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11700pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK94N50P2 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK94N50P2 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK94N50P2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1300W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:220nC@10V

    输入电容:13700pF@25V

    连续漏极电流:94A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@500mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHW47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STY60NK30Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STY60NK30Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY60NK30Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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