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    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 72nC@10V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH26N60P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH26N60P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH26N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:4150pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT5014SLLG 起订30个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT5014SLLG 起订30个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT5014SLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:403W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3261pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80Z 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80Z 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS54DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS54DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS54DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3450pF@15V

    连续漏极电流:51.1A€185.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.06Ω@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2954pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW9NK90Z 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW9NK90Z 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW9NK90Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2115pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW9NK90Z 起订600个装
    ST Mosfet场效应管 STW9NK90Z 起订600个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW9NK90Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2115pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6242 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6242 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6370pF@30V

    连续漏极电流:18.5A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订564个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSATMA1 起订564个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3338,"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@15V

    连续漏极电流:37A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP21N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP21N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP21N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1388pF@100V

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@11A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80ZFP 起订1500个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80ZFP 起订1500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK80ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7174DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7174DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订141个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9N90-F109 起订141个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":220}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA9N90-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7174DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7174DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG21N80AE-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG21N80AE-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1388pF@100V

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@11A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9NK90Z 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP9NK90Z 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9NK90Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2115pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80ZFP 起订750个装
    ST Mosfet场效应管 STP10NK80ZFP 起订750个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP10NK80ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2954pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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