品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1212
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1212
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB350UPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€5.68W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:116pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:447mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB350UPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€5.68W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:116pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:447mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: