品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6600pF@100V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@40A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6600pF@100V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@40A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH140P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:31400pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH140P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:31400pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6600pF@100V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@40A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH140P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:31400pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH140P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:31400pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH140P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:31400pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:14300pF@10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
漏源电压:20V
栅极电荷:400nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH140P10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:31400pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:14300pF@10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
漏源电压:20V
栅极电荷:400nC@10V
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: