采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4141NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@24V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：42441}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3383-TL-H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@1.5A，2.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS3113PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@16V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3419
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9431A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2220LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：88mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSF1341
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@8V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4141NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@24V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2220LFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4141NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@24V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3662，"09+"：15000，"10+"：55476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
