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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000，"9999"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
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功率：2.5W€6W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000，"9999"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4840BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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