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    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 40V
    阈值电压: 3V@250µA
    类型: P沟道
    当前匹配商品:700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4051LK3-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4051LK3-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4051LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.14W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:51mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4685 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4685 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1872pF@20V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4685 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4685 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    输入电容:1872pF@20V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SK3-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SK3-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4047SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1328pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4685 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4685 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1872pF@20V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013LFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013LFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4013LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3426pF@20V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5803TRPBF 起订12个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5803TRPBF 起订12个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5803TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4051LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4051LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4051LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.14W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:51mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013LFG-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013LFG-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4013LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3426pF@20V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订617个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订617个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10000,"9999":1890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4141-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2775pF@20V

    连续漏极电流:10.8A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@12.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD4685 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD4685 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6QTA 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6QTA 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013LFGQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013LFGQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3426pF@20V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013SPSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013SPSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2226

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4013SPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:11A€61A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2319DS-T1-E3 起订300个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2319DS-T1-E3 起订300个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2319DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401BDY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013LFGQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4013LFGQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4013LFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3426pF@20V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4065S-7 起订36个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4065S-7 起订36个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4065S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@20V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4006SPSWQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4006SPSWQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4006SPSWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6855pF@20V

    连续漏极电流:115A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4065S-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4065S-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4065S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@20V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SK3-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SK3-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4047SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:23.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1328pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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