采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13626，"23+"：9144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13626，"23+"：9144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：15699，"24+"：110000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
