品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@300mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@300mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@300mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@300mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@300mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@300mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@300mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: