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    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 30V
    阈值电压: 2.5V@250µA
    类型: P沟道
    当前匹配商品:1600+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:165mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:3.8A€5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR1309DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR1309DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@15V

    连续漏极电流:19.1A€65.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@15V

    连续漏极电流:12.9A€30.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:10.2A€13.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3228pF@15V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:10.2A€13.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS352AP 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS352AP 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3036SFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1931pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB27EP,115 起订3110个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB27EP,115 起订3110个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4229,"18+":22511693,"19+":171794}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB27EP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@15V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:13.9A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH617DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:13.9A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2G 起订465个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2G 起订465个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":5000,"08+":15230,"10+":47314}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS3P03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@24V

    连续漏极电流:2.34A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH625DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS3P03R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@24V

    连续漏极电流:2.34A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4485DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4485DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4485DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3036SFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1931pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7424TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7424TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4030pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4101DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4101DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8190pF@15V

    连续漏极电流:25.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML5203TRPBF 起订26个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML5203TRPBF 起订26个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML5203TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:98mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:4.2A€5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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